Transistore

Transistoreak^[1] solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, solidoa den material erdieroalez (Silizioz, batik bat) eginda daude. Gehienek hiru terminal dauzkate: mutur gisako bi eta kontrol-terminal bat. Muturren arteko erresistentziaren balioa kontrol-terminalaren bitartez aldatzeko ahalmenean datza transistoreen erabilgarritasuna. Hain zuzen ere, 'transistore' terminoa transfer resistor hitzen kontrakzioa da, ahalmen hori aditzera ematen duena.

Bestalde, azpimarratzekoa da portaera interesgarri hori gauzatzeko, transistoreak transistore efektuaz edota eremu-efektuaz balia daitezkeela. Gertakizun fisiko horien garrantziaren erakusle, transistore efektuaren aurkikuntzak merezi izan zuen 1956ko fisikako Nobel Saria daukagu^[2].

Motak eta Sailkapena

Oraintsurarte, hiru transistore-mota nagusi hauek bereizten izan dira:

• Junturadun transistore bipolarra (laburdura: BJT).
• Junturadun eremu-efektuko transistorea (laburdura: JFET).
• Ate isolatudun eremu-efektuko transistorea (laburdura: IGFET), gehien-gehienetan 'MOS egituradun eremu-efektuko transistore' (laburdura: MOSFET) esaten bazaie ere, atearen isolamendua gauzatzeko egitura zein den azpimarratuz.

Horiek horrela, liburuetan ohikoa da batetik BJTak aztertzea, eta, bestetik, FET biak (hau da, JFETak eta MOSFETak); izan ere, BJTak transistore efektuaz eta FETak eremu-efektuaz baliatzen direnez, kategoria bakoitza (BJT, FET) efektu fisiko bati (transistore efektua, eremu-efektua) lotzen zaio.

Aspaldi honetan, ordea, laugarren transistore-mota bat agertu zaigu merkatuan, ate isolatudun transistore bipolarra (laburdura: IGBT), gero eta aplikazio-esparru zabalagoa eskuratzen dagoena. Kontua da IGBTa bai transistore efektuaz bai eremu-efektuaz baliatzen dela, eta, beraz, kategoria bi horietan kabitzen dela, eta ezeinetan ere ez, aldi berean. Alegia:

Hori dela-eta, sailkatzeko beste irizpide bi hauek nagusitzen ari dira azken urteotan:

• Kontrol-terminalaren izaera: isolatugabea bada, junturadun esaten zaie, eta isolatua bada, ate isolatudun (horrelakoetan, kontrol-terminalari ate esaten zaio eta).
• Korrontean parte hartzen duten eramaile-motak: mota bakar batekoak (elektroiak edo hutsuneak) badabiltza, monopolar esaten zaie, eta mota bietakoak (elektroiak eta hutsuneak) badabiltza, bipolar.

Ikur elektronikoak:

• 
  NPN Juntura-transistore bipolarra (BJT)
• 
  PNP juntura-transistore bipolarra (BJT)
• 
  N motako eremu-efektuko juntura-transistorea (JFET)
• 
  P motako eremu-efektuko juntura-transistorea (JFET)
• 
  Metal oxido erdieroale eremu-efektuko transistorea (MOSFET)

Erabilerak

Gaur egungo elektronikan oinarrizko osagaia da eta bera erabiliz kommutadore elektroniko, ate logiko, memoria eta beste dispositibo asko lor daitezke. Zirkuitu analogikoen kasuan transistoreak anplifikadore, osziladore eta uhin sortzaile moduan erabiltzen dira.

Bilakaera historikoa

Hiru elektrodoko (triodo) huts balbularen ordezkoa den transistore bipolarra AEBtako Bell Laborategietan asmatu zuten 1947an Walter Houser Brattain, John Bardeen eta William Bradford Shockleykek. Hirurek Fisikako Nobel Saria irabazi zuten 1956an asmakuntza honengatik. Transistorearen sorrerak iraultza suposatu zuen informatikan, transistoreak baitira txipen oinarria. Txipak prozesasore unitate zentralaren, memoriaren oinarri dira, besteak beste. Hobekuntza teknologikoari esker geroz eta transistore txikiagoak eraiki ahal izan dira eta horrek beste hobekuntza teknologikoekin batera (teknologia magnetikoa, optika eta magnetiko-optikozko disko gogorrak, CD eta DVD) informatikaren zabalkuntza ekarri du.

Erreferentziak

Kanpo estekak

• Datuak: Q5339
• Multimedia: Transistors / Q5339